Председатель Исполнительного Юаня Китайской Республики (Тайвань) Чэнь Цзянь-жэнь принял участие 28 июля в церемонии открытия Глобального научно-исследовательского центра корпорации «Тай цзи дянь» (TSMC). В своей речи Чэнь сказал, что высокий уровень конкурентоспособности тайваньской промышленности позволили Тайваню продемонстрировать миру, что он является не только прочной демократией, но и процветающим научно-техническим островом. Инновации являются основой конкурентоспособности, особенно в переменчивых условиях. Создание научно-исследовательского центра имеет большое значение, сказал премьер.
Чэнь поблагодарил корпорацию за вклад в научно-техническое развитие Тайваня. Он пообещал, что правительство продолжит поддерживать полупроводниковую отрасль, которая является «щитом» Тайваня.
«Помимо повышения эффективности межведомственной коммуникации, мы должны систематически поощрять инвестиции в научно-технические разработки и оказывать максимальную поддержку в сфере кадров, коммунальных услуг и, что ещё важнее, совершенствования экосистемы цепи поставок. Пункт 2 статьи 10 Закона об инновации промышленности уже принят. Согласно нему, будут поощряться приобретение передового оборудования и инвестиции в научно-технические разработки. Также достигнут консенсус по деталям реализации подзаконных актов, которые будут введены в силу в августе. Благодаря механизму инвестиционного кредитования у промышленности появится больше стимулов для инвестирования и опережения конкурентов в мире», – рассказал премьер Чэнь Цзянь-жэнь.
Чэнь отметил, что Исполнительный Юань, Совет по делам науки и Министерство экономики оказали содействие в строительстве научно-технического парка TSMC в Тунло. Вследствие этого было создано 1 500 новых рабочих мест.
Основатель корпорации TSMC Моррис Чжан также побывал на церемонии открытия научно-исследовательского центра TSMC. Он выразил признательность команде TSMC, занимающейся разработками. Председатель правления корпорации Лю Дэ-инь, в свою очередь, рассказал, что команда TSMC займётся передовыми технологиями, в том числе разработкой 2-нм и 1,4-нм полупроводниковых чипов.
